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  • 型号: CY62136CV30LL-70BVXI
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY62136CV30LL-70BVXI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY62136CV30LL-70BVXI价格参考。Cypress SemiconductorCY62136CV30LL-70BVXI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY62136CV30LL-70BVXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY62136CV30LL-70BVXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY62136CV30LL-70BVXI 是 Cypress(现属英飞凌)出品的高速CMOS静态RAM(SRAM),容量为2 Mbit(256K × 8),工作电压3.0–3.6 V,访问时间70 ns,采用48-pin TQFP封装(-70BVXI中“X”表示工业级温度范围:–40°C 至 +85°C,“I”代表无铅/符合RoHS)。

其典型应用场景包括:  
✅ 工业控制设备:如PLC、HMI、运动控制器等需高可靠性、宽温运行及快速随机读写的嵌入式系统;  
✅ 网络通信设备:交换机、路由器中的数据包缓存、FIFO缓冲或控制表暂存;  
✅ 医疗电子仪器:便携式监护仪、影像采集模块中对低延迟、零刷新(无需DRAM刷新电路)、抗辐射干扰有要求的临时数据存储;  
✅ 汽车电子(限AEC-Q100非车规版,需确认具体批次):车载信息娱乐系统、ADAS辅助模块中的实时状态缓存(注意:该型号标号“X”为工业级,非正式AEC-Q100认证车规件,实际车用需选用带“A”后缀的车规型号);  
✅ 测试测量设备:逻辑分析仪、示波器的数据采集缓存,依赖其纳秒级稳定访问与低功耗待机特性。

该器件不适用于大容量长期存储(非Flash/EEPROM),也不支持电池备份(无BBS功能),主要用于高速、易失性、低延迟的中间数据暂存场景。
产品参数 图文手册 常见问题
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