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产品简介:
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CY62126EV30LL-45ZSXAT是Cypress Semiconductor Corp(现为英飞凌科技公司旗下)生产的一款高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM),属于异步SRAM产品系列。该器件容量为256K × 16位(即512K字节),工作电压为3.3V,访问时间低至45纳秒,具备高性能和低功耗特性。 该型号主要应用于对数据读写速度和系统稳定性要求较高的工业与通信领域。典型应用场景包括网络设备(如路由器、交换机)中的缓存存储、工业自动化控制系统、嵌入式处理器系统的数据缓冲、医疗设备中的实时数据处理模块,以及测试测量仪器等需要快速响应的设备。其高可靠性与宽温工作范围(通常支持工业级温度-40°C至+85°C)使其适用于严苛环境下的长期运行。 此外,由于其异步接口设计,CY62126EV30LL-45ZSXAT兼容多种传统微处理器和控制器,适合用于升级或维护现有工业平台,无需复杂时序控制即可实现快速集成。封装形式为小型BGA,有助于节省PCB空间,适用于紧凑型电子设备设计。 综上,该SRAM广泛应用于工业控制、通信基础设施、医疗电子及高端嵌入式系统中,作为关键的高速数据暂存单元,保障系统实时性与稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 1MBIT 45NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | CY62126EV30LL-45ZSXAT |
| PCN封装 | http://www.cypress.com/?docID=47155 |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47161http://www.cypress.com/?docID=48124 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MoBL® |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 1M (64K x 16) |
| 封装/外壳 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.2 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 45ns |