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- 型号： CY14B512Q1A-SXI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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CY14B512Q1A-SXI产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY14B512Q1A-SXI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供CY14B512Q1A-SXI价格参考以及Cypress SemiconductorCY14B512Q1A-SXI封装/规格参数等产品信息。 你可以下载CY14B512Q1A-SXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有CY14B512Q1A-SXI详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY14B512Q1A-SXI 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌）推出的 512K × 8 位（4Mb）非易失性静态RAM（nvSRAM），采用“自动存储（AutoStore）”技术，无需外部电池即可在断电时将SRAM数据无缝、可靠地保存至内部EEPROM中。 其典型应用场景包括： - 工业自动化设备：如PLC、运动控制器、HMI人机界面，需在意外断电时瞬时保存运行参数、计数器状态或工艺配方，确保重启后精准恢复； - 通信基础设施：基站、交换机、光模块中的配置寄存器与日志缓存，要求高速读写（最高35ns访问时间）与永久数据保持； - 医疗电子设备：监护仪、输液泵等对数据完整性要求严苛的系统，满足IEC 62304安全标准，避免电池失效风险； - 金融终端：POS机、ATM交易缓冲区，保障交易关键状态（如未完成交易号、余额快照）断电不丢失； - 高可靠性嵌入式系统：替代传统带电池SRAM或EEPROM+SRAM组合方案，简化设计、提升MTBF（平均无故障时间），免除电池更换与漏液隐患。 该器件工作温度范围为–40°C 至 +85°C（工业级），支持并行接口（x8），符合RoHS，适用于对实时性、可靠性及免维护性有严苛要求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 512KBIT 40MHZ 8SOIC |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=46886 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY14B512Q1A-SXI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=44762http://www.cypress.com/?docID=48110 |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=47160 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | 428-3161 |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 512K （64K x 8） |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | SPI 串行 |
| 标准包装 | 97 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 40MHz |
