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  • 型号: CY14B104NA-BA20XIT
  • 制造商: Cypress Semiconductor
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ICGOO电子元器件商城为您提供CY14B104NA-BA20XIT由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY14B104NA-BA20XIT价格参考。Cypress SemiconductorCY14B104NA-BA20XIT封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY14B104NA-BA20XIT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY14B104NA-BA20XIT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Cypress Semiconductor Corp 的 CY14B104NA-BA20XIT 是一款4 Mbit(512 K × 8)的串行F-RAM(铁电随机存取存储器),结合了RAM的高速读写特性和非易失性存储器的数据保持能力。其主要应用场景包括:

1. 工业自动化:用于PLC(可编程逻辑控制器)、传感器和工业I/O模块中,实时保存运行参数、校准数据和故障日志,断电后无需备用电源即可长期保存。

2. 医疗设备:在便携式医疗仪器(如血糖仪、心电图机)中,可靠记录患者数据和设备设置,确保数据安全且无需频繁写保护操作。

3. 汽车电子:应用于车载黑匣子、ECU(电子控制单元)或仪表盘系统,用于存储行驶数据、故障码和配置信息,具备高耐久性和宽温工作能力(-40°C至+85°C),适应严苛环境。

4. 通信设备:在网络路由器、交换机等设备中,用于快速保存配置信息和操作日志,支持高速写入,避免传统EEPROM的延迟问题。

5. 消费电子与智能仪表:适用于智能电表、水表等需要频繁记录数据的场景,F-RAM的高写入耐久性(可达10^14次)远超EEPROM和Flash,显著延长设备寿命。

CY14B104NA-BA20XIT采用SPI接口,封装为小型SOIC-8,便于集成于空间受限的设计中。其无需写等待时间、低功耗和高可靠性,使其成为替代传统EEPROM和SRAM+电池方案的理想选择,广泛服务于对数据完整性、写入速度和长期稳定性要求高的嵌入式系统。
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