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- 型号： CY14B104N-ZS45XC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY14B104N-ZS45XC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY14B104N-ZS45XC价格参考。Cypress SemiconductorCY14B104N-ZS45XC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY14B104N-ZS45XC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY14B104N-ZS45XC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY14B104N-ZS45XC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的 4-Mbit（512K × 8）非易失性静态RAM（NVSRAM），采用“自动存储（AutoStore）”技术，无需外部电池即可实现断电数据持久保存。其典型应用场景包括： - 工业控制系统：用于PLC、HMI、运动控制器中缓存实时运行参数、配置信息及关键日志，在意外断电时确保数据不丢失，保障系统重启后状态可恢复。 - 网络与通信设备：在路由器、交换机、基站等设备中存储MAC地址表、会话状态、配置快照等需高速读写且断电不丢的数据。 - 医疗电子设备：如监护仪、影像设备，用于暂存患者实时生理数据、校准参数或故障诊断记录，满足高可靠性与数据完整性要求。 - 汽车电子（车载信息娱乐/ADAS模块）：在宽温（–40°C 至 +85°C）、高抗干扰环境下，保存用户偏好设置、系统校准值或事件触发前的“黑匣子”缓存数据。 - 智能电表与能源管理系统：记录用电峰值、断电时间戳、计量寄存器快照等关键计量数据，符合IEC/EN标准对数据持久性的严苛要求。 该器件支持并行接口（3V核心/IO电压）、45ns快速访问，兼具SRAM的读写速度与EEPROM的非易失性优势，适用于对写入寿命（无限次）、写入延迟（纳秒级）和免电池设计有高要求的嵌入式场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 4MBIT 45NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY14B104N-ZS45XC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 4M （256K x 16） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 135 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 45ns |
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