【未分类_CY14B104N-BA20XC】封装/厂家_CY14B104N-BA20XC中文资料_价格

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型号： CY14B104N-BA20XC
制造商： Cypress Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CY14B104N-BA20XC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY14B104N-BA20XC价格参考。Cypress SemiconductorCY14B104N-BA20XC封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CY14B104N-BA20XC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY14B104N-BA20XC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY14B104N-BA20XC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的 4-Mbit（512K × 8）非易失性静态RAM（NVSRAM），采用“自动存储（AutoStore）”技术，无需外部电池即可实现断电数据持久保存。其典型应用场景包括：

- 工业控制系统：用于PLC、DCS、运动控制器等需实时读写且断电不丢数据的关键参数、运行状态、故障日志的缓存与保存；  
- 网络通信设备：在交换机、路由器、基站中存储配置信息、MAC地址表、会话状态等，确保重启或掉电后快速恢复；  
- 医疗电子设备：如监护仪、影像设备，在无电池依赖下可靠保存患者设置、校准数据和紧急事件记录，满足医疗安全与合规要求；  
- 汽车电子（车载信息/车身控制）：用于需AEC-Q100认证的子系统（注：该型号为工业级，若用于车规需确认具体版本），存储诊断故障码（DTC）、里程/使用统计等；  
- 智能电表与能源管理终端：持久记录用电数据、需量值、时间戳等，避免电池失效风险，提升长期可靠性。

该器件支持并行接口（20ns访问速度）、宽温工作（–40°C 至 +85°C）、10⁶次写入寿命及20年数据保持能力，特别适用于对数据可靠性、零维护、宽温稳定性有严苛要求的嵌入式场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC NVSRAM 4MBIT 20NS 48FBGA
产品分类	存储器
品牌	Cypress Semiconductor Corp
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	CY14B104N-BA20XC
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	48-FBGA（6x10）
包装	管件
存储器类型	NVSRAM（非易失 SRAM）
存储容量	4M （256K x 16）
封装/外壳	48-TFBGA
工作温度	0°C ~ 70°C
接口	并联
标准包装	299
格式-存储器	RAM
电压-电源	2.7 V ~ 3.6 V
速度	20ns