| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CY14B104L-BA20XC由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY14B104L-BA20XC价格参考。Cypress SemiconductorCY14B104L-BA20XC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY14B104L-BA20XC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY14B104L-BA20XC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY14B104L-BA20XC 是 Cypress Semiconductor Corp(现属英飞凌)推出的 4-Mbit(512K × 8)非易失性静态RAM(nvSRAM),具备“无需电池、自动数据保护”特性。其核心应用场景聚焦于需实时读写+断电数据零丢失的关键工业与嵌入式系统。 典型应用包括: ✅ 工业自动化设备:PLC、运动控制器、HMI人机界面中,用于保存运行参数、故障日志、校准数据等,断电瞬间自动将SRAM数据转存至内部SONOS非易失单元,确保数据完整性; ✅ 网络通信设备:路由器、交换机的配置缓存与会话状态存储,避免因意外掉电导致配置丢失或业务中断; ✅ 医疗电子设备:如便携式监护仪、输液泵,用于实时记录患者关键生命体征或操作历史,满足医疗设备对数据可靠性与安全性的严苛要求; ✅ 智能电表与能源管理系统:存储累计用电量、事件记录(如电压异常、断电时间),符合DLMS/IEC62056等标准对数据持久性的强制要求; ✅ 汽车电子(车载信息娱乐及车身控制模块):在宽温(–40°C 至 +85°C)、高可靠性环境下,保存用户设置、故障码(DTC)等,支持AEC-Q100 Grade 3认证(该型号符合)。 其优势在于:替代传统“SRAM+电池”方案,消除电池漏液、失效、环保及维护风险;支持无限次读写与100年数据保持;并行接口(20ns访问速度)兼顾性能与兼容性。适用于对数据可靠性、长寿命和免维护有硬性要求的中高端嵌入式场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 4MBIT 20NS 48FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY14B104L-BA20XC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 48-FBGA(6x10) |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM(非易失 SRAM) |
| 存储容量 | 4M (512K x 8) |
| 封装/外壳 | 48-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 299 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 20ns |