Datasheet下载- 型号： CTA2P1N-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CTA2P1N-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CTA2P1N-7-F价格参考。Diodes Inc.CTA2P1N-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CTA2P1N-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CTA2P1N-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS ARRAY PNP/N-CH 40V SOT363两极晶体管 - BJT PNP-TRANS N-CH MFET |
| 产品分类 | 晶体管 - 专用型分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated CTA2P1N-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CTA2P1N-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | CTA2P1N-FDICT |
| 其它图纸 |
|
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 晶体管极性 | PNP, N-Channel |
| 晶体管类型 | PNP，N 通道 |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-额定 | 40V PNP，60V N 通道 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 500 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | CTA2P1N |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 750 mV |
| 集电极连续电流 | - 600 mA |
| 额定电流 | 600mA PNP，115mA N 通道 |
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