Datasheet下载- 型号： CSD16413Q5A
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16413Q5A由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16413Q5A价格参考。Texas InstrumentsCSD16413Q5A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD16413Q5A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD16413Q5A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD16413Q5A 是德州仪器（Texas Instruments）推出的单通道N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用5mm×6mm SON（Small Outline No-lead）封装，具有超低导通电阻（RDS(on) ≈ 2.3 mΩ @ VGS = 4.5 V）、优异的开关性能和高功率密度。其典型应用场景包括： • 负载开关（Load Switch）：广泛用于电源管理模块中，如USB端口、PCIe插槽、FPGA/CPU供电轨的上电时序控制与过流保护，支持快速开启/关断及反向电流阻断。 • 同步整流DC-DC转换器：在降压（Buck）转换器的下管（low-side switch）中，配合控制器（如TI的TPS543x系列）实现高效同步整流，适用于服务器VRM、通信电源、工业电源等高效率、高电流（可达30A连续）场合。 • 电机驱动与LED驱动：适用于中小功率H桥驱动电路中的功率开关，或大电流LED恒流驱动的PWM调光开关节点。 • 电池管理系统（BMS）：用作电池充放电路径的主控MOSFET，支持低损耗通路与快速保护响应。 该器件具备100%通过UIS（非钳位感性开关）测试、强雪崩耐受能力及符合RoHS标准，适合对可靠性、热性能与空间受限要求严苛的工业、通信及计算类应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 100A 8-SONMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16413Q5ANexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD16413Q5A |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| Qg-栅极电荷 | 9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 12 V, + 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
| 上升时间 | 15.9 ns |
| 下降时间 | 5.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.9V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1780pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.9 毫欧 @ 24A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON（5x6） |
| 其它名称 | 296-24524-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 10.7 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16413Q5A |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | VSON-8 FET |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 95 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Ta）， 100A （Tc） |
| 系列 | CSD16413Q5A |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
