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  • 型号: CPH6635-TL-H
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CPH6635-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH6635-TL-H价格参考。ON SemiconductorCPH6635-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CPH6635-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CPH6635-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CPH6635-TL-H 是安森美(ON Semiconductor)推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列(采用SOT-457/CPH6封装),具有低导通电阻(Rds(on)典型值约28 mΩ @ Vgs=4.5V)、高开关速度及优良的热性能。其典型应用场景包括:

1. DC-DC电源管理:常用于同步降压转换器(Buck Converter)的上下管驱动,尤其适用于便携式设备(如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备)中的高效、小尺寸电源模块。

2. 负载开关与电源路径管理:在电池供电系统中实现主电源与备用电源的自动切换、USB端口过流保护或外设供电使能控制,利用其低阈值电压(Vth≈1.0–2.0V)和逻辑电平兼容性,可直接由MCU GPIO驱动。

3. 电机驱动(小型):适用于微型直流电机或振动马达的H桥半桥驱动,如智能手环震动反馈、玩具、小型风扇等低功率场景。

4. LED背光/照明驱动:作为PWM调光开关,控制LED电流通断,支持高频率调光且功耗低。

5. 接口保护与信号切换:在I²C、GPIO等低速数字信号路径中用作电平移位或隔离开关(需注意体二极管方向)。

该器件集成双MOSFET共源结构,节省PCB面积,简化布局;符合AEC-Q101(车规级)可靠性标准(注:CPH6635-TL-H为工业级,非车规;若需车规请确认具体版本),广泛用于消费电子、工业控制及物联网终端设备的紧凑型电源与功率开关设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
Id-ContinuousDrainCurrent

400 mA

Id-连续漏极电流

400 mA

品牌

ON Semiconductor

产品目录

半导体

描述

MOSFET NCH+PCH 1.8V DRIVE SERIES

产品分类

分离式半导体

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor CPH6635-TL-H

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产品型号

CPH6635-TL-H

Pd-PowerDissipation

0.8 W

Pd-功率耗散

800 mW

Qg-GateCharge

1.58 nC

Qg-栅极电荷

1.58 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

280 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

280 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

上升时间

65 ns

下降时间

120 ns

产品种类

MOSFET

典型关闭延迟时间

155 ns

商标

ON Semiconductor

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/箱体

SC-74-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

正向跨导-最小值

0.22 S

系列

CPH6635

配置

Dual

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