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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CPH6635-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH6635-TL-H价格参考。ON SemiconductorCPH6635-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CPH6635-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CPH6635-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CPH6635-TL-H 是安森美(ON Semiconductor)推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列(采用SOT-457/CPH6封装),具有低导通电阻(Rds(on)典型值约28 mΩ @ Vgs=4.5V)、高开关速度及优良的热性能。其典型应用场景包括: 1. DC-DC电源管理:常用于同步降压转换器(Buck Converter)的上下管驱动,尤其适用于便携式设备(如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备)中的高效、小尺寸电源模块。 2. 负载开关与电源路径管理:在电池供电系统中实现主电源与备用电源的自动切换、USB端口过流保护或外设供电使能控制,利用其低阈值电压(Vth≈1.0–2.0V)和逻辑电平兼容性,可直接由MCU GPIO驱动。 3. 电机驱动(小型):适用于微型直流电机或振动马达的H桥半桥驱动,如智能手环震动反馈、玩具、小型风扇等低功率场景。 4. LED背光/照明驱动:作为PWM调光开关,控制LED电流通断,支持高频率调光且功耗低。 5. 接口保护与信号切换:在I²C、GPIO等低速数字信号路径中用作电平移位或隔离开关(需注意体二极管方向)。 该器件集成双MOSFET共源结构,节省PCB面积,简化布局;符合AEC-Q101(车规级)可靠性标准(注:CPH6635-TL-H为工业级,非车规;若需车规请确认具体版本),广泛用于消费电子、工业控制及物联网终端设备的紧凑型电源与功率开关设计。
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 400 mA |
| Id-连续漏极电流 | 400 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET NCH+PCH 1.8V DRIVE SERIES |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor CPH6635-TL-H |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 产品型号 | CPH6635-TL-H |
| Pd-PowerDissipation | 0.8 W |
| Pd-功率耗散 | 800 mW |
| Qg-GateCharge | 1.58 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1.58 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 280 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 280 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 65 ns |
| 下降时间 | 120 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 155 ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SC-74-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 0.22 S |
| 系列 | CPH6635 |
| 配置 | Dual |