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  • 型号: CPH6413-TLD-E
  • 制造商: SNY
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CPH6413-TLD-E由SNY设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH6413-TLD-E价格参考。SNYCPH6413-TLD-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CPH6413-TLD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CPH6413-TLD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CPH6413-TLD-E 是 ON Semiconductor(安森美)推出的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列(采用 SOT-563 封装),具有低导通电阻(Rds(on) 典型值约 28 mΩ @ Vgs=4.5V)、高开关速度及优良的热性能。其典型应用场景包括:

- 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池充放电路径控制,利用其双MOSFET结构实现高效正向/反向电流控制或电源路径选择。

- DC-DC 转换器同步整流:在小型 buck 或 boost 电路中作为同步整流管,提升转换效率并减小发热,适用于空间受限的 PMIC 模块。

- LED 驱动与背光控制:用于多路 LED 的独立开关与调光控制(如手机/平板屏幕背光驱动),双通道设计便于分时或并行驱动。

- 电机驱动辅助电路:在微型直流电机(如振动马达、摄像头 OIS)的 H 桥预驱或方向控制中,用作逻辑电平驱动开关。

- 接口保护与热插拔电路:配合限流检测实现 USB 或 I/O 端口的过流防护与受控上电。

该器件支持 20V 最大漏源电压、±3A 连续漏极电流(Ta=25℃),具备 ESD 保护(HBM 2kV),符合 RoHS 且通过 AEC-Q101 认证(部分批次),亦可用于车规级辅助系统(如座舱传感器供电开关)。其小尺寸封装与低功耗特性,特别适配高集成度、低功耗、紧凑型终端产品。
产品参数 图文手册 常见问题
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