Datasheet下载- 型号： CPH6121-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CPH6121-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH6121-TL-E价格参考。ON SemiconductorCPH6121-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CPH6121-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CPH6121-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CPH6121-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款NPN型通用双极结型晶体管（BJT），采用SOT-416（SC-75）超小型表面贴装封装，具有高增益（hFE典型值180–390）、低饱和压降（VCE(sat)低至0.15V @ IC=100mA）及快速开关特性（fT ≈ 200MHz）。其主要应用场景包括： - 便携式电子设备的负载开关与LED驱动：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中，用于控制LED背光、指示灯或小功率传感器供电，得益于其低导通损耗和小尺寸； - DC-DC转换器中的次级侧开关或偏置电路：在升压/降压模块中用作驱动MOSFET的电平移位或电流放大级； - 信号放大与逻辑电平接口：适用于低功耗微控制器（如MCU、IoT节点）的GPIO扩展，实现数字信号缓冲、反相或电平转换（如3.3V↔5V）； - 电池管理与电源监控电路：在充电管理IC外围用作过流检测开关或使能控制元件； - 消费类家电与工业传感器前端：如烟雾报警器、温湿度模块中的微弱信号预放大或继电器驱动。 该器件额定集电极电流IC=200mA，VCEO=50V，工作结温范围-55°C~+150°C，具备良好的热稳定性与ESD防护能力（HBM ≥2kV），适合高密度、低功耗、空间受限的设计。需注意其SOT-416封装对PCB焊盘设计与回流工艺有较高要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP BIPO 3A 12V CPH6 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CPH6121-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 165mV @ 30mA，1.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，2V |
| 供应商器件封装 | 6-CPH |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 380MHz |
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