【未分类_CPH5822-TL-E】封装/厂家_CPH5822-TL-E中文资料_价格

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型号： CPH5822-TL-E
制造商： SANYO Semiconductor Company
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CPH5822-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH5822-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyCPH5822-TL-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CPH5822-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CPH5822-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CPH5822-TL-E 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的射频（RF）N沟道增强型MOSFET，采用小型表面贴装SOT-563封装，具有高增益、低噪声和优良的RF功率效率特性。其典型应用场景集中于中低功率射频信号放大与开关领域，尤其适用于：

1. 蜂窝通信前端模块：如2G/3G/4G LTE手机及物联网终端中的功率放大器（PA）驱动级或末级，支持800–2200 MHz频段；
2. 无线收发模块：在Wi-Fi（2.4 GHz）、蓝牙（2.4 GHz）、Zigbee等短距离无线系统中用作射频开关或低噪声放大器（LNA）后级驱动；
3. RFID读写器与智能穿戴设备：因体积小、功耗低、热性能优，适合空间受限且需电池供电的便携式RF设备；
4. 汽车电子无线应用：如无钥匙进入（RKE）、TPMS接收前端等低功耗、高可靠性射频电路。

该器件具备快速开关特性、良好线性度及ESD防护能力（HBM ±2 kV），适配高频PCB布局要求。需注意：其为分立器件，设计时应配合匹配网络、偏置电路及散热考量以发挥最佳RF性能。不适用于大功率基站或毫米波场景。

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