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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CPH5821-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH5821-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyCPH5821-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CPH5821-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CPH5821-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CPH5821-TL-E 是安森美(onsemi)推出的高性能射频N沟道MOSFET,采用小型表面贴装SOT-563封装,具有低栅极电荷(Qg ≈ 0.9 nC)、高增益(fT ≈ 7 GHz)、优异的功率附加效率(PAE)及良好的线性度。其典型应用场景包括: 1. 蜂窝通信前端模块:适用于2G/3G/4G LTE频段(如700–2700 MHz)的功率放大器(PA)末级或驱动级,尤其适合中低功率(<1 W)手持设备; 2. 无线基础设施:用于小型基站(pico/femtocell)、分布式天线系统(DAS)中的射频收发链路; 3. 物联网(IoT)与Wi-Fi设备:支持2.4 GHz和5 GHz频段的短距离无线模块,如智能网关、工业传感器节点; 4. RFID读写器与车载通信:在UHF RFID(860–960 MHz)及车规级V2X通信中提供可靠、紧凑的射频开关/放大功能(需符合AEC-Q200可靠性标准,该型号为工业级,非车规,但可适配部分车载非安全关键应用); 5. 测试仪器与射频开发板:因尺寸小、匹配简单(50 Ω输入/输出易设计),常用于实验室射频评估板及教学演示平台。 注:该器件非车规级(无AEC-Q200认证),不推荐用于ASIL-B及以上汽车安全系统;工作结温范围为–55°C至+150°C,需注意PCB热设计。