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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CPH3456-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH3456-TL-H价格参考。ON SemiconductorCPH3456-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CPH3456-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CPH3456-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CPH3456-TL-H 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型MOSFET,采用超小型SOT-416(SC-75)封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 32 mΩ @ VGS = 4.5 V)、低栅极电荷(Qg ≈ 2.1 nC)和快速开关特性。其额定电压为20 V,连续漏极电流达2.5 A(Ta = 25°C),适合低压、小功率、高密度应用。 典型应用场景包括: ✅ 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、LED背光驱动或USB接口过流保护; ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流:在升压/降压(Buck/Boost)微型电源模块中提升效率(尤其在1–5 V输入系统); ✅ 电池供电系统保护电路:配合充电IC实现电池充放电路径控制、反向电流阻断及过流隔离; ✅ 驱动小型有源负载:如微型马达、振动马达、蜂鸣器、逻辑电平转换接口等低功耗开关应用; ✅ 空间受限的IoT节点与可穿戴设备:得益于0.8 mm × 0.6 mm超小尺寸和低热阻,便于高密度PCB布局。 该器件支持无铅回流焊(符合RoHS),工作结温范围为–55°C 至 +150°C,具备良好的热稳定性和可靠性,适用于对尺寸、效率与成本敏感的消费类及工业级嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3MOSFET DC-DC CONVERTER |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,1.8V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor CPH3456-TL-H- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CPH3456-TL-H |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 71 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 71 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 260pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 71 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-CPH |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-96 |
| 封装/箱体 | CPH-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.5A (Ta) |
| 系列 | CPH3456 |
| 配置 | Single |