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- 型号： CPH3424-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CPH3424-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH3424-TL-E价格参考。ON SemiconductorCPH3424-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CPH3424-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CPH3424-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CPH3424-TL-E 是安森美（onsemi）推出的高性能N沟道增强型MOSFET，专为射频（RF）应用优化，属于晶体管—FET，MOSFET—射频类别。其典型应用场景包括： 1. 蜂窝通信前端模块：广泛用于2G/3G/4G LTE手机及物联网终端的功率放大器（PA）输出级或天线开关模块（ASM），支持高频（DC至3 GHz）、高效率开关与低插入损耗。 2. 射频开关与天线调谐：凭借低导通电阻（RDS(on) ≈ 0.35 Ω @ VGS=4.5V）、快速开关特性（tON/tOFF < 10 ns）及高隔离度，适用于多频段智能手机中的主/辅天线切换、载波聚合（CA）路径选择及阻抗调谐电路。 3. 无线基础设施辅助电路：在小型基站（pico/femto cell）或射频收发模块中，用作T/R切换、末级驱动或偏置控制开关，具备良好的ESD防护（HBM > 2 kV）和热稳定性。 4. Wi-Fi 6/6E与蓝牙设备：适用于2.4 GHz/5 GHz双频Wi-Fi模组中的功率管理与射频路径控制，满足高集成度、小尺寸（SOT-323封装）及低功耗需求。 该器件采用硅基工艺，支持3.3V/5V逻辑电平驱动，无需外部电平转换；内置体二极管经优化，可抑制反向电流干扰。注意：不适用于大功率连续波（CW）放大场景，非线性PA核心器件，而是面向高可靠性、高速开关的射频信号路由与控制应用。
产品参数
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