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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CL10C3R3CB8NNND
- 制造商： SAMSUNG
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CL10C3R3CB8NNND由SAMSUNG设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CL10C3R3CB8NNND价格参考。SAMSUNGCL10C3R3CB8NNND封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CL10C3R3CB8NNND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CL10C3R3CB8NNND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SAMSUNG EM（现属三星电机Samsung Electro-Mechanics）生产的CL10C3R3CB8NNND是一款多层陶瓷电容器（MLCC），尺寸为1608（1.6×0.8 mm），容量3.3 pF，容差±0.25 pF（C级），额定电压50 V，X7R介质（温度特性：±15% / –55℃～+125℃），无铅、符合RoHS。 该器件主要应用于高频、高稳定性要求的模拟与射频电路中，典型场景包括： - 射频匹配网络：在Wi-Fi 2.4/5 GHz、蓝牙、蜂窝通信（LTE/5G终端）模块中，用于天线阻抗匹配、PA输出匹配或LNA输入匹配，其低容量（3.3 pF）和优异高频特性（低ESL/ESR）可实现精准相位与阻抗调谐； - 高频滤波与去耦：在高速数字IC（如RF收发器、时钟发生器、VCO供电端）的局部高频噪声抑制，尤其适用于GHz频段的旁路； - 振荡电路微调：在晶体振荡器（XO）、VCO或PLL环路中作为负载电容或频率微调元件，利用其高精度（B容差）和温度稳定性保障频率准确性； - EMI抑制：配合磁珠构成π型滤波器，抑制高频传导干扰。 因其小尺寸、高Q值及良好高频响应，广泛用于智能手机、TWS耳机、物联网模组、车载信息娱乐系统等对空间和性能敏感的便携式电子设备。不适用于大电流或高脉冲应力场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 3.3PF 50V NP0 0603 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CL10C3R3CB8NNND |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | |
| 产品系列 | CL |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.035"（0.90mm） |
| 大小/尺寸 | 0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装/外壳 | 0603（1608 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | 通用 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | - |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/samsung-mlcc-ceramic-capacitors/4040 |
| 电压-额定 | 50V |
| 电容 | 3.3pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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