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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CL10C3R3BB8NNND
- 制造商： SAMSUNG
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CL10C3R3BB8NNND由SAMSUNG设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CL10C3R3BB8NNND价格参考。SAMSUNGCL10C3R3BB8NNND封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CL10C3R3BB8NNND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CL10C3R3BB8NNND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Samsung Electro-Mechanics生产的CL10C3R3BB8NNND是一款多层陶瓷电容器（MLCC），容量为3.3pF，容差±0.1pF（B级），额定电压50V，封装尺寸为0603（1608公制），X7R介质，符合RoHS标准。 该器件具有高精度、低损耗、优异的温度稳定性（-55℃~+125℃内容量变化≤±15%）和良好的高频特性，适用于对容值精度与稳定性要求严苛的射频（RF）及高频模拟电路。典型应用场景包括： - 射频匹配网络：在Wi-Fi 6/6E、蓝牙、蜂窝通信（如4G LTE前端模块）中用于天线阻抗匹配与谐振调谐； - 高频滤波与去耦：为RF收发器、LNA（低噪声放大器）、VCO（压控振荡器）等提供精准旁路与高频噪声抑制； - 时钟与振荡电路：配合晶体或SAW器件实现高稳定振荡回路中的负载电容微调； - 测试测量设备：在矢量网络分析仪（VNA）、频谱仪等精密仪器的校准通路或信号路径中保障相位与幅度精度。 其超小容差（±0.1pF）和低寄生参数（ESL/ESR）使其特别适合GHz频段设计，常见于智能手机、无线模块、物联网终端及高端通信设备中对性能敏感的关键节点。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 3.3PF 50V NP0 0603 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CL10C3R3BB8NNND |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | |
| 产品系列 | CL |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.035"（0.90mm） |
| 大小/尺寸 | 0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.1pF |
| 封装/外壳 | 0603（1608 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | 通用 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | - |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/samsung-mlcc-ceramic-capacitors/4040 |
| 电压-额定 | 50V |
| 电容 | 3.3pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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