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- 型号： CK45-R3DD332K-GRA
- 制造商： TDK
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CK45-R3DD332K-GRA由TDK设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CK45-R3DD332K-GRA价格参考。TDKCK45-R3DD332K-GRA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CK45-R3DD332K-GRA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CK45-R3DD332K-GRA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CK45-R3DD332K-GRA是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属于CK45系列（即X7R温度特性、额定电压50V、尺寸为1206英寸）。其中“R3DD”代表额定电压50V（R=50V）、介质为X7R；“332”表示标称容量为3300pF（即3.3nF）；“K”表示容量公差±10%；“GRA”为三星内部的包装与端子规格代码。 该电容典型应用场景包括： - 电源去耦与旁路：用于IC（如MCU、FPGA、DC-DC转换器）的电源引脚附近，滤除高频噪声（数十MHz至数百MHz），提升系统稳定性； - 信号耦合/隔直：在模拟或射频前端电路中，实现交流信号传递并阻断直流偏置； - EMI抑制：配合磁珠构成π型滤波网络，抑制开关电源或高速数字电路产生的传导干扰； - 时钟与振荡电路：作为负载电容辅助晶振起振（需结合具体电路设计验证匹配性）； - 工业控制与消费电子：广泛应用于变频器、智能电表、电视主板、路由器等对可靠性与温漂要求适中的中端电子产品中。 注意：X7R介质具有良好的温度稳定性（±15%容值变化，-55℃~+125℃），但存在电压系数效应（直流偏压下容量会下降），实际应用中需按工作电压预留足够裕量。不推荐用于高精度定时、谐振或Class I（如C0G）严苛场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 3300PF 2KV 10% RADIAL |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | TDK Corporation |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | CK45-R3DD332K-GRA |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CK45-RR |
| 其它名称 | CK45R3DD332KGRA |
| 包装 | 散装 |
| 厚度（最大值） | - |
| 大小/尺寸 | 0.669" 直径（17.00mm） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | 径向，圆盘 |
| 工作温度 | -25°C ~ 125°C |
| 应用 | 通用 |
| 引线形式 | 直形 |
| 引线间距 | 0.394"（10.00mm） |
| 标准包装 | 1,000 |
| 温度系数 | R |
| 特性 | 高电压，低耗散因子 |
| 电压-额定 | 2000V（2kV） |
| 电容 | 3300pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | 0.827"（21.00mm） |
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