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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CK45-B3FD181KYNN
- 制造商： TDK
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CK45-B3FD181KYNN由TDK设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CK45-B3FD181KYNN价格参考。TDKCK45-B3FD181KYNN封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CK45-B3FD181KYNN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CK45-B3FD181KYNN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CK45-B3FD181KYNN 是一款由“-”（即未标注具体品牌，可能为代工或通用型号）生产的陶瓷电容器，属CK45系列（对应JIS标准，等效于EIA X7R特性），容量为181 pF（即180 pF，Y表示±15%容差），额定电压一般为50 V DC（依据B3F前缀常规推断），Y5V/NP0混合标识需结合规格书确认，但“YNN”后缀通常表征X7R材质、无卤、符合RoHS。 其典型应用场景包括： 1. 高频旁路与去耦：用于数字IC（如MCU、FPGA电源引脚）或射频模块的局部滤波，抑制10–100 MHz频段噪声； 2. 信号耦合/隔直：在音频前置放大、传感器模拟前端中传递交流信号并阻断直流偏置； 3. 谐振与定时电路：配合电感或晶体构成LC谐振回路（如无线接收前端选频）、或用于RC振荡器、延时电路（因180 pF属小容量，适合MHz级频率设计）； 4. EMI抑制：置于I/O接口（如USB、RS-485）滤波网络中，吸收高频干扰。 该器件尺寸微小（典型0603或0805封装），温度稳定性较好（X7R：±15% @ -55℃~+125℃），适用于消费电子、工业控制、通信设备等对成本、体积和可靠性有综合要求的场景。实际应用需以厂商官方规格书为准，尤其关注电压降额、老化特性及PCB布局建议。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器无源元件 |
| 描述 | CAP CER 180PF 3KV 10% RADIAL瓷片电容器 180pF 3Kvolts B 10% tol |
| 产品分类 | 陶瓷电容器电容器 |
| 品牌 | TDK |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 陶瓷电容器,瓷片电容器,TDK CK45-B3FD181KYNNCK45 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CK45-B3FD181KYNN |
| 产品 | Ceramic Disc Capacitors |
| 产品种类 | 瓷片电容器 |
| 包装 | 散装 |
| 厚度 | 6 mm |
| 厚度（最大值） | - |
| 商标 | TDK |
| 外壳宽度 | 6 mm |
| 大小/尺寸 | 0.217" 直径（5.50mm） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | 10 % |
| 封装/外壳 | 径向，圆盘 |
| 工作温度 | -25°C ~ 105°C |
| 工作温度范围 | - 25 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 应用 | General Purpose |
| 引线形式 | 直形 |
| 引线直径 | 0.6 mm |
| 引线类型 | Vertical Kink |
| 引线间距 | 0.295"（7.50mm） |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 25 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 温度系数 | B |
| 特性 | 高电压 |
| 电压-额定 | 3000V（3kV） |
| 电压额定值 | 3 kV |
| 电压额定值DC | 3 kV |
| 电容 | 180 pF |
| 端接类型 | Radial |
| 等级 | - |
| 类型 | High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
| 高度-安装（最大值） | 0.374"（9.50mm） |
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