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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CK45-B3AD822KYNN
- 制造商： TDK
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CK45-B3AD822KYNN由TDK设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CK45-B3AD822KYNN价格参考。TDKCK45-B3AD822KYNN封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CK45-B3AD822KYNN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CK45-B3AD822KYNN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CK45-B3AD822KYNN 是一款由“-”（即未标注具体品牌，常见于国产通用型或代工型号）生产的X7R材质、容量8.2nF（822表示8.2×10²pF=8200pF）、额定电压50V、±10%容差的陶瓷电容器（属CK45系列，对应IEC标准的X7R类多层片式电容）。其典型应用场景包括： 1. 电源去耦与旁路：广泛用于数字IC（如MCU、FPGA、逻辑门电路）的VCC/GND引脚附近，滤除高频噪声（数十MHz至数百MHz），保障供电稳定性； 2. 信号耦合与隔直：在模拟/射频前端电路中，用于音频放大器级间耦合、传感器信号调理电路中的直流隔离，利用其低ESL/ESR特性保持信号完整性； 3. EMI抑制与滤波：配合共模电感或磁珠构成π型滤波网络，抑制开关电源（DC-DC转换器）、电机驱动等产生的传导干扰； 4. 时钟与振荡电路：在微控制器外部晶振负载电容匹配中（需结合具体电路设计确认是否适用，通常需配对使用且容值精度要求更高，本型号±10%可满足一般应用）； 5. 工业控制与消费电子：适用于温升可控、可靠性要求中等的场景，如家电主控板、LED驱动电源、工控HMI模块等。 注：该型号不适用于高精度定时、高压脉冲或高温（>125℃）环境，X7R介质存在电压系数与温度漂移，设计时需预留裕量。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器无源元件 |
| 描述 | CAP CER 8200PF 1KV 10% RADIAL瓷片电容器 8200pF 1Kvolts B 10% tol |
| 产品分类 | 陶瓷电容器电容器 |
| 品牌 | TDK |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 陶瓷电容器,瓷片电容器,TDK CK45-B3AD822KYNNCK45 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CK45-B3AD822KYNN |
| 产品 | Ceramic Disc Capacitors |
| 产品种类 | 瓷片电容器 |
| 包装 | 散装 |
| 厚度 | 5 mm |
| 厚度（最大值） | - |
| 商标 | TDK |
| 外壳宽度 | 5 mm |
| 大小/尺寸 | 0.512" 直径（13.00mm） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | 10 % |
| 封装/外壳 | 径向，圆盘 |
| 工作温度 | -25°C ~ 105°C |
| 工作温度范围 | - 25 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 应用 | General Purpose |
| 引线形式 | 直形 |
| 引线直径 | 0.6 mm |
| 引线类型 | Vertical Kink |
| 引线间距 | 0.295"（7.50mm） |
| 引线间隔 | 7.5 mm |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 25 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 温度系数 | B |
| 特性 | 高电压 |
| 电压-额定 | 1000V（1kV） |
| 电压额定值 | 1 kV |
| 电压额定值DC | 1 kV |
| 电容 | 8200 pF |
| 端接类型 | Radial |
| 等级 | - |
| 类型 | High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
| 高度-安装（最大值） | 0.669"（17.00mm） |
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