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- 型号： CIB21P150NE
- 制造商： SAMSUNG
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CIB21P150NE由SAMSUNG设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CIB21P150NE价格参考。SAMSUNGCIB21P150NE封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CIB21P150NE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CIB21P150NE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Samsung Electro-Mechanics 的 CIB21P150NE 是一款高性能片式铁氧体磁珠（Ferrite Bead），属于多层陶瓷结构的EMI抑制元件，封装尺寸为0603（1608公制），额定阻抗为15Ω @ 100MHz（典型值），直流电阻低（通常≤0.05Ω），额定电流达2A。 其主要应用场景包括： ✅ 高速数字电路电源滤波：用于微处理器、FPGA、ASIC等芯片的VDD/VSS引脚旁路，吸收高频噪声（如开关噪声、时钟谐波），保障供电纯净； ✅ USB/MIPI/HDMI等高速接口信号线共模噪声抑制：串联于差分对或单端线上，抑制100MHz–1GHz频段EMI，满足CISPR 22/32辐射发射要求； ✅ 无线模块（Wi-Fi/BT/GPS）前端去耦：防止射频干扰耦合至基带或电源系统，提升接收灵敏度与抗扰度； ✅ 汽车电子中的信息娱乐系统（IVI）和ADAS摄像头供电路径：符合AEC-Q200可靠性标准（该型号有车规版本可选），用于抑制CAN/LIN总线或图像传感器电源噪声； ✅ 便携设备（智能手机、TWS耳机）中紧凑空间内的高频噪声管控：凭借小尺寸与高阻抗-频率特性，替代传统电感+电容LC滤波，节省PCB面积。 简言之，CIB21P150NE适用于对高频噪声敏感、空间受限且需兼顾低功耗与高可靠性的电子系统，是电源轨净化与信号完整性保障的关键被动器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 滤波器 |
| DC电阻(DCR) | 10 毫欧最大 |
| 描述 | FERRITE CHIP 15 OHM 2000MA 0805 |
| 产品分类 | 铁氧体磁珠和芯片 |
| 品牌 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | CIB21P150NE |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | |
| 产品系列 | CIB21 |
| 不同频率时的阻抗 | 15 欧姆 @ 100MHz |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 大小/尺寸 | 0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 0805（2012 公制） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 滤波器类型 | 差模 - 单线 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/samsung-cib-cim-series-chip-beads/4059 |
| 额定电流 | 2A |
| 高度（最大值） | 0.043"（1.10mm） |
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