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型号： CGHV22200-TB
制造商： Cree
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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CGHV22200-TB产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CGHV22200-TB由Cree设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CGHV22200-TB价格参考。CreeCGHV22200-TB封装/规格：RF 评估和开发套件，板，。您可以下载CGHV22200-TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CGHV22200-TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Cree/Wolfspeed的CGHV22200-TB是一款RF（射频）评估和开发套件，主要用于支持基于碳化硅（SiC）技术的高性能射频应用。以下是其主要应用场景：

1. 射频功率放大器开发  
   CGHV22200-TB适用于设计和测试射频功率放大器，尤其是在高频段（如S波段、C波段）的应用中。它支持高效率、高线性度的功率放大器开发，广泛用于通信基站、雷达系统等。

2. 雷达系统  
   该开发套件可用于气象雷达、空中交通管制雷达以及军事雷达系统的原型设计和性能优化。其高功率密度和宽带特性使其非常适合需要高输出功率的雷达应用。

3. 无线通信  
   在5G及更高代际的无线通信领域，CGHV22200-TB可帮助工程师开发高效的射频前端模块。它支持更高的频率范围和更宽的带宽，满足现代通信系统对速度和容量的需求。

4. 航空航天与国防  
   由于其出色的射频性能和可靠性，该套件在航空航天和国防领域的应用非常广泛，例如卫星通信、电子战系统和导航设备的开发。

5. 工业与科学应用  
   CGHV22200-TB还可用于工业加热、等离子体激发等需要高功率射频源的场景。其高效率和耐用性使其成为这些应用的理想选择。

6. 科研与教育  
   在高校和研究机构中，这款开发套件可用于教学和实验，帮助学生和研究人员深入了解射频技术和碳化硅器件的特性。

总之，CGHV22200-TB凭借其卓越的射频性能和灵活性，适用于多种高功率、高频段的射频应用领域，为工程师提供了强大的开发工具。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSF RF 125V 12A 2.2GHZ 440162
产品分类	RF FET
品牌	Cree Inc
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	CGHV22200-TB
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	-
其它名称	CGHV22200F-TB CGHV22200F-TB-ND
功率-输出	200W
包装	散装
噪声系数	-
增益	18dB
封装/外壳	-
晶体管类型	HEMT
标准包装	2
电压-测试	50V
电压-额定	125V
电流-测试	1A
频率	1.8GHz ~ 2.2GHz
额定电流	12A