【未分类_CDV30FJ501GO3】封装/厂家_CDV30FJ501GO3中文资料_价格

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型号： CDV30FJ501GO3
制造商： Cornell Dubilier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FJ501GO3由Cornell Dubilier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FJ501GO3价格参考。Cornell DubilierCDV30FJ501GO3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CDV30FJ501GO3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CDV30FJ501GO3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CDV30FJ501GO3 是一款由“-”（品牌栏为空，可能为未标注、代工或信息缺失）生产的云母与PTFE（聚四氟乙烯）复合介质电容器，容量为500 pF（501表示50×10¹ = 500 pF），容差±2%（G），额定电压500 V DC（J），封装形式为径向引线（O3通常指标准轴向/径向引脚尺寸）。  

该器件结合云母的高稳定性、低损耗（tanδ ≈ 0.0002～0.0005）与PTFE优异的耐高温（-73℃～+250℃）、耐辐照及化学惰性，适用于极端环境下的高可靠性场景：  
1. 航空航天与军工电子：雷达脉冲调制电路、相控阵T/R模块中的耦合/旁路电容，要求宽温、低相位噪声和长期参数漂移<±0.1%；  
2. 高能物理设备：粒子加速器束流探测前端、高压脉冲发生器，需承受瞬时高压、抗电离辐射；  
3. 精密射频系统：5G基站功放匹配网络、微波测试校准源，利用其Q值>10,000（1 MHz）和极低ESR保障信号完整性；  
4. 医疗影像设备：MRI梯度线圈驱动电路、X射线发生器高压滤波，依赖PTFE耐高压击穿（>1.5 kV/mm）及无电解液特性。  

注意：因品牌信息缺失，实际选型需核实制造商资质（如类似KEMET T370、Johanson PTFE系列）及是否符合MIL-PRF-55681等军规标准。不建议用于普通消费类电子产品——成本远高于陶瓷/X7R电容，且体积较大。

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