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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FJ221GO3F由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FJ221GO3F价格参考。Cornell DubilierCDV30FJ221GO3F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV30FJ221GO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV30FJ221GO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDV30FJ221GO3F 是一款由“-”(品牌字段为空,可能为未标注、代工或信息缺失)生产的云母与PTFE(聚四氟乙烯)复合介质电容器。其型号中“221”表示标称容量为220 pF(22×10¹ pF),“J”代表容量容差±5%,“G”通常对应额定电压(如100 V DC),“O3F”多指特殊端接形式(如轴向引线、符合MIL标准的镀银云母结构及PTFE封装工艺)。 该电容兼具云母的高稳定性、低损耗(tanδ ≈ 0.0002~0.0005)和PTFE优异的耐高温(-65℃~+200℃)、耐湿、抗辐射及高频绝缘性能,适用于极端环境下的高可靠性电路。 典型应用场景包括: ① 航空航天与军工电子——雷达收发模块、相控阵T/R组件中的高频耦合、谐振与定时回路; ② 高频通信设备——5G基站射频前端、微波滤波器与VCO(压控振荡器)中的温度补偿与稳频电容; ③ 精密仪器——高精度LC振荡源、标准信号发生器及计量校准设备中要求ppm级温度系数(TC ≤ ±35 ppm/℃)和长期容量漂移<0.1%的场合; ④ 高能物理与医疗影像——PET/MRI射频接收链路中需承受强电磁干扰、低噪声且无老化效应的关键节点。 注:因品牌信息缺失,实际选型应以权威数据手册及原厂认证为准,避免用于安全关键系统。