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  • 型号: CDV30FH112GO3F
  • 制造商: Cornell Dubilier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FH112GO3F由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FH112GO3F价格参考。Cornell DubilierCDV30FH112GO3F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV30FH112GO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV30FH112GO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CDV30FH112GO3F 是 Cornell Dubilier Electronics(CDE)生产的云母介质电容器(属CDV系列),标称容量1100 pF(112表示11×10² pF),容差±2%(G),额定电压300 VDC(FH代码对应300 VDC),采用径向引线、环氧树脂封装,具有优异的高频稳定性、低损耗(tanδ ≈ 0.0002)、极小的温度系数(约±35 ppm/°C)和长期可靠性。

该器件典型应用场景包括:  
- 高精度振荡与定时电路:如晶体振荡器负载电容、PLL环路滤波器,依赖其容值稳定性和低老化率;  
- 射频(RF)与微波电路:用于阻抗匹配网络、天线调谐、滤波器选频支路,受益于云母材料在数百MHz频段仍保持低ESR和高Q值;  
- 脉冲与高压耦合场合:如激光驱动器、雷达发射模块中的隔直/耦合电容,利用其高绝缘电阻(>10⁴ GΩ·μF)和耐压能力;  
- 航空航天与军工电子:满足MIL-PRF-11015标准,适用于严苛环境下的高可靠性信号链前端(如接收机预选滤波、采样保持电路);  
- 精密测量仪器:如LCR表校准网络、高频探头补偿,要求容值高度准确且温度/时间漂移极小。

注:虽PTFE电容器也具类似优势,但CDV30FH112GO3F为银电极云母结构(非PTFE),不可替代用于需更高温(>125℃)或更低介电吸收的特殊场景。
产品参数 图文手册 常见问题
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