【未分类_CDV30FF911FO3F】封装/厂家_CDV30FF911FO3F中文资料_价格

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型号： CDV30FF911FO3F
制造商： Cornell Dubilier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FF911FO3F由Cornell Dubilier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FF911FO3F价格参考。Cornell DubilierCDV30FF911FO3F封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CDV30FF911FO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CDV30FF911FO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CDV30FF911FO3F 是一款由“-”（即无品牌标识，通常为代工或通用型号）生产的云母/PTFE混合介质电容器。其型号编码表明：CDV系列常指高稳定性、高可靠性射频/脉冲电容；“FF”代表介质为氟化云母（Fluorinated Mica）与聚四氟乙烯（PTFE）复合结构；“911”对应标称容量910 pF（E3系列），±1%容差（F）；“O3”表示工作温度范围–55℃～+125℃；“F”为镀银端子及符合MIL-PRF-55681标准的军规级封装。

该电容器主要应用于对高频性能、温度稳定性和长期可靠性要求极高的场景：  
1. 军用/航天电子系统：如雷达收发模块、相控阵T/R组件中的耦合、旁路与调谐回路，利用其低介质损耗（tanδ＜0.0003）、近零老化率及抗辐照特性；  
2. 高精度射频仪器：矢量网络分析仪（VNA）校准件、微波滤波器与振荡器中的温度补偿单元，保障GHz频段（典型适用至6 GHz）相位稳定性；  
3. 医疗成像设备：MRI梯度放大器和超声波发射电路中承受高dv/dt（＞1000 V/μs）的脉冲储能与整形环节；  
4. 高能物理实验装置：粒子探测器前端信号链的抗干扰耦合电容，依赖其极低漏电流（＜1 nA @ 100 V）和耐压能力（额定电压通常为500 V DC）。  

注：因无明确品牌，实际选型需核查制造商规格书以确认具体参数及认证资质（如QPL清单）。

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