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  • 型号: CDV30FF222GO3F
  • 制造商: Cornell Dubilier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FF222GO3F由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FF222GO3F价格参考。Cornell DubilierCDV30FF222GO3F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV30FF222GO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV30FF222GO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CDV30FF222GO3F 是 Cornell Dubilier Electronics(CDE)推出的高性能云母介质电容器(含少量PTFE封装/绝缘优化),标称容量2200 pF(222表示22×10² pF),容差±2%(G),额定电压300 VDC(FF后缀通常对应300 VDC,具体以官方规格书为准),采用径向引线、环氧树脂包封结构,具备优异的稳定性、低损耗(tanδ < 0.0005)、极低的介质吸收及出色的温度/频率特性(-55°C 至 +125°C)。

典型应用场景包括:  
1. 高精度定时与振荡电路:如晶体振荡器负载电容、PLL环路滤波器,依赖其容值长期稳定性和极小老化率(<0.5%/decade);  
2. 射频耦合与旁路:在VHF/UHF频段(可达数百MHz)中用于发射机末级、天线匹配网络,利用其低ESR和近零电感特性;  
3. 精密测量与采样保持电路:在高速ADC前端或电荷敏感放大器中,凭借超低介质吸收(<0.02%)避免信号拖尾;  
4. 军工与航天电子:满足MIL-PRF-11015标准,适用于雷达脉冲调制、相控阵T/R模块等对可靠性、抗辐射及宽温性能要求严苛的领域;  
5. 高压脉冲系统:如医疗X射线发生器、激光驱动电路中的能量整形与阻尼网络,依托其高绝缘强度与抗电晕设计。

该器件不适用于大电流纹波或高湿冷凝环境(非密封型),亦不可替代电解或陶瓷电容用于电源滤波。实际选型需严格参照CDE官方数据手册确认电压等级、温度系数及可靠性测试报告。
产品参数 图文手册 常见问题
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