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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30EH820GO3F由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30EH820GO3F价格参考。Cornell DubilierCDV30EH820GO3F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV30EH820GO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV30EH820GO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDV30EH820GO3F 是一款由“-”(品牌栏为空,可能为代工或未标注品牌,常见于部分国产或OEM电容器)生产的云母与PTFE(聚四氟乙烯)复合介质高压电容器。其型号中“820”表示标称容量为82 pF(即82×10⁻¹² F),“G”代表容量公差±2%,“O3F”通常对应特殊温度特性与可靠性等级(如-55℃~+125℃宽温、低老化率、高稳定性)。 该电容结合云母的高Q值、低介质损耗及PTFE优异的耐高温性(>200℃)、耐辐照性和化学惰性,适用于对高频性能、长期稳定性和环境适应性要求极高的场景: 1. 航天与军工电子:雷达发射模块、相控阵T/R组件中的耦合/调谐回路,需承受振动、宽温及辐射; 2. 高端射频仪器:矢量网络分析仪(VNA)、信号源中的校准网络和精密滤波器,依赖其极低介质吸收(DA)和ppm级容量漂移; 3. 高能物理设备:粒子加速器脉冲功率系统中,作为高压谐振电容或采样电容,耐受瞬时高压与快速充放电; 4. 医疗影像设备:MRI射频前端或X射线发生器的高频谐振电路,要求无磁性、低噪声且生物安全兼容(PTFE符合医用材料标准)。 注意:该器件不适用于大电流或低频滤波等普通场景,其高成本与小容量(82pF)决定了其专精于高频、高稳、高可靠细分领域。实际选型需严格依据原厂规格书确认电压额定值(如DC 1000V)、安装方式(径向引线)及认证资质(如MIL-PRF-11015或类似)。