【未分类_CDV30EF430GO3F】封装/厂家_CDV30EF430GO3F中文资料_价格

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型号： CDV30EF430GO3F
制造商： Cornell Dubilier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30EF430GO3F由Cornell Dubilier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30EF430GO3F价格参考。Cornell DubilierCDV30EF430GO3F封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CDV30EF430GO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CDV30EF430GO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CDV30EF430GO3F 是 Cornell Dubilier Electronics（CDE）生产的云母介质电容器（符合MIL-PRF-11015标准），标称容量30 pF ±2%（G容差），额定电压300 VDC，工作温度范围–55°C 至 +125°C，采用径向引线、环氧树脂封装，具备高稳定性、低损耗（tanδ ≤ 0.0002）、极低介电吸收和优异的频率/温度特性。

其典型应用场景包括：  
• 高频谐振与滤波电路：广泛用于射频（RF）发射机、接收机中的调谐回路、带通/带阻滤波器，尤其适用于VHF/UHF频段（30 MHz–3 GHz），保障信号纯度与相位一致性；  
• 精密定时与振荡电路：在高稳定性晶体振荡器（XO）、压控振荡器（VCO）及锁相环（PLL）中作为负载电容或微调电容，确保长期频率精度（老化率低至±5 ppm/年）；  
• 高可靠性军用/航天电子：满足MIL-STD-202测试要求，应用于雷达系统、电子对抗（ECM）、卫星通信前端模块等对温度漂移、湿度敏感性和寿命有严苛要求的场景；  
• 医疗成像设备：如MRI梯度放大器、超声波发射电路中需低噪声、零滞后响应的耦合/旁路节点；  
• 测试测量仪器：在矢量网络分析仪（VNA）、频谱分析仪校准路径中作为基准电容，支持毫米级阻抗匹配与S参数测量精度。

该器件不适用于大电流、高纹波或脉冲功率场合（非电解/薄膜类设计），亦不可替代PTFE电容器（本型号为银电极云母，非PTFE材质；命名中“PTFE”属分类误读，CDE官网明确归类为“Mica Capacitors”）。

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