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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CDV19FF432GO3F由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV19FF432GO3F价格参考。Cornell DubilierCDV19FF432GO3F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV19FF432GO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV19FF432GO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDV19FF432GO3F 是一款由 KEMET(基美)生产的云母/PTFE 混合介质电容器(实际为银电极云母电容器,部分资料中标注含PTFE封装或绝缘材料,但核心介质为优质天然云母),属高稳定性、低损耗、高Q值的精密射频电容器。其标称容量为4300 pF(432表示43×10² pF),容差±2%(G),额定电压100 VDC(O3对应100 V),F表示径向引线、环氧树脂包封,符合MIL-PRF-11015标准。 典型应用场景包括: - 高频/射频电路:如VHF/UHF发射机匹配网络、天线调谐回路、滤波器与耦合电路,利用其极低介质损耗(tanδ < 0.0005)和优异频率稳定性; - 高可靠性军工与航天电子:因云母介质耐高温(工作温度达+125°C)、抗辐射、寿命长,常用于雷达收发模块、相控阵T/R组件、卫星通信前端; - 精密振荡与定时电路:在LC振荡器、压控振荡器(VCO)中提供高Q值储能,保障频率精度与相位噪声性能; - 医疗与测试仪器:如MRI射频放大器、频谱分析仪输入级,要求低失真、高重复性及长期参数漂移小。 注:该型号不含PTFE作为主介质(PTFE通常用于薄膜电容),名称中“PTFE”可能源于封装材料或系列命名惯例,实际核心介质为云母。应用时需注意焊接温度控制(避免超260°C)及PCB应力防护,以维持其卓越稳定性。