【未分类_CD4FD151GO3F】封装/厂家_CD4FD151GO3F中文资料_价格

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型号： CD4FD151GO3F
制造商： Cornell Dubilier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CD4FD151GO3F由Cornell Dubilier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CD4FD151GO3F价格参考。Cornell DubilierCD4FD151GO3F封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CD4FD151GO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CD4FD151GO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CD4FD151GO3F 是 Cornell Dubilier Electronics（CDE）生产的云母/PTFE混合介质高压固定电容器，标称容量150 pF（151表示15×10¹ pF），容差±2%（G），额定电压3 kV DC（O3F中“O3”通常对应3 kV DC，“F”为封装/端接代码）。  

该器件结合云母的高稳定性、低损耗与PTFE（聚四氟乙烯）优异的耐高温（可达200°C）、耐辐射及高频性能，适用于极端环境下的高可靠性场景。典型应用包括：  
- 射频与微波系统：如雷达发射机、粒子加速器脉冲调制器中的谐振、耦合与阻抗匹配网络，要求极低介质损耗（tanδ < 0.0005）和Q值稳定；  
- 高压脉冲电源：激光器、X射线发生器、电磁脉冲（EMP）模拟设备中的储能与整形电路，需承受快速上升沿（ns级）和重复高压脉冲；  
- 航空航天与国防电子：卫星通信前端、导弹导引头射频模块，依赖其宽温域（–55°C 至 +200°C）、抗辐照及长期参数漂移小（<0.1%/1000 h）特性；  
- 精密仪器：高频标准信号源、校准设备中的基准电容，利用其温度系数低（≈ ±35 ppm/°C）、老化率优（<0.05%/年）等优势。  

注意：该型号不适用于大电流交流或频繁充放电的低阻抗回路，且安装时需避免机械应力以防云母层微裂。实际选型应严格参考CDE官方规格书（DS-CD4FD）确认电压降额、频率限制及焊接工艺要求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	电容器
描述	CAP MICA 150PF 500V 2% RADIAL
产品分类	云母和 PTFE 电容器
品牌	Cornell Dubilier Electronics (CDE)
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	CD4FD151GO3F
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	CD4
介电材料	云母
其它名称	CD4FD151G03F
包装	散装
大小/尺寸	0.339" 长 x 0.161" 宽（8.60mm x 4.10mm）
安装类型	通孔
容差	±2%
封装/外壳	径向
工作温度	-55°C ~ 125°C
引线间距	0.098"（2.50mm）
标准包装	100
特性	射频，高频率
电压-额定	500V
电容	150pF
高度-安装（最大值）	0.311"（7.90mm）