Datasheet下载- 型号： CD4ED510GO3F
- 制造商： Cornell Dubilier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CD4ED510GO3F由Cornell Dubilier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CD4ED510GO3F价格参考。Cornell DubilierCD4ED510GO3F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CD4ED510GO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CD4ED510GO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CD4ED510GO3F 是 Cornell Dubilier Electronics（CDE）推出的云母介质电容器（属CD4E系列），标称容量100 pF，容差±2%（G），额定电压500 VDC，采用径向引线、环氧树脂包封结构，符合MIL-PRF-11015标准。其核心介质为优质天然云母，辅以银电极和高温稳定封装，兼具极低介质损耗（tanδ < 0.0005）、优异的频率稳定性（-55℃～+125℃内电容变化率< ±50 ppm/℃）、高Q值及长期可靠性。 典型应用场景包括： 1. 高频谐振与选频电路：如射频（RF）发射机/接收机中的LC谐振回路、带通滤波器、天线匹配网络，尤其适用于20–500 MHz频段； 2. 精密定时与振荡电路：在高稳定性晶体振荡器（XO）、压控振荡器（VCO）中作调谐或耦合电容，保障相位噪声与频率精度； 3. 脉冲与高dv/dt场合：如雷达脉冲调制器、激光驱动电路、医疗成像设备中的高压快沿信号耦合，得益于其低ESL、高绝缘电阻（>10,000 GΩ·μF）和抗电晕特性； 4. 军用/航天电子系统：满足MIL-STD-202/883环境试验要求，用于导航、通信和电子对抗等对温度稳定性、寿命和可靠性要求严苛的领域。 该器件不适用于大电流滤波或电源去耦，其优势在于高频精度与长期参数漂移控制，是替代陶瓷电容（如C0G/NP0）于高端射频与精密模拟场景的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP MICA 51PF 500V 2% RADIAL |
| 产品分类 | 云母和 PTFE 电容器 |
| 品牌 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CD4ED510GO3F |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CD4 |
| 介电材料 | 云母 |
| 其它名称 | CD4ED510G03F |
| 包装 | 散装 |
| 大小/尺寸 | 0.291" 长 x 0.110" 宽（7.40mm x 2.80mm） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | 径向 |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 引线间距 | 0.098"（2.50mm） |
| 标准包装 | 100 |
| 特性 | 射频，高频率 |
| 电压-额定 | 500V |
| 电容 | 51pF |
| 高度-安装（最大值） | 0.220"（5.60mm） |
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