【未分类_CD42FD363GO3F】封装/厂家_CD42FD363GO3F中文资料_价格

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型号： CD42FD363GO3F
制造商： Cornell Dubilier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CD42FD363GO3F由Cornell Dubilier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CD42FD363GO3F价格参考。Cornell DubilierCD42FD363GO3F封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CD42FD363GO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CD42FD363GO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CD42FD363GO3F 是 Cornell Dubilier（CDE）生产的云母介质电容器（属CD42系列），标称容量36 nF（36,000 pF），容差±2%（G），额定电压300 VDC，工作温度范围–55°C 至 +125°C，采用径向引线封装，符合MIL-PRF-11015标准（原MIL-C-11015），具有高稳定性、低损耗（tanδ ≤ 0.0005）、极低的电容温漂（典型±35 ppm/°C）及优异的长期可靠性。

其典型应用场景包括：  
✅ 高频谐振与滤波电路——如射频（RF）发射机/接收机中的LC谐振槽路、带通/带阻滤波器，得益于云母介质的Q值高、频率特性平坦；  
✅ 精密定时与脉冲电路——在要求时序稳定的振荡器、延迟线、取样保持电路中，提供低老化率（<0.5% / decade）和高绝缘电阻（>10⁴ MΩ·μF）；  
✅ 军用/航空航天电子系统——满足严苛环境要求，用于雷达脉冲调制、相控阵T/R模块、惯导系统电源去耦与信号耦合；  
✅ 高压高频耦合与旁路——在开关电源栅极驱动、固态继电器、医疗影像设备（如X射线发生器）中，兼顾300 VDC耐压与纳秒级响应；  
✅ 替代PTFE电容的高性价比方案——在对成本敏感但性能要求仍高于普通陶瓷电容的场景（如高端音频分频网络、测试仪器校准电路）中广泛应用。

注：该型号不含PTFE介质，CD42系列为优质银电极云母电容；“PTFE”在此分类中属平台宽泛归类，并非本型号实际介质。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	电容器
描述	CAP MICA 0.036UF 500V 2% RADIAL
产品分类	云母和 PTFE 电容器
品牌	Cornell Dubilier Electronics (CDE)
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	CD42FD363GO3F
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	CD42
介电材料	云母
其它名称	CD42FD363G03F
包装	散装
大小/尺寸	1.449" 长 x 0.382" 宽（36.80mm x 9.70mm）
安装类型	通孔
容差	±2%
封装/外壳	径向
工作温度	-55°C ~ 125°C
引线间距	1.063"（27.00mm）
标准包装	50
特性	通用
电压-额定	500V
电容	0.036µF
高度-安装（最大值）	0.902"（22.90mm）