Datasheet下载- 型号： CBR08C909B5GAC
- 制造商： Kemet
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR08C909B5GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR08C909B5GAC价格参考。KemetCBR08C909B5GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR08C909B5GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR08C909B5GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR08C909B5GAC 是一款高性能车规级多层陶瓷电容器（MLCC），属于CBR系列，符合AEC-Q200标准。其参数为：9.0 pF、±0.1 pF精度（B容差）、50 V额定电压、C0G/NP0温度特性（-55℃～+125℃，容量变化≤±30 ppm/℃），0805封装（2.0×1.25 mm），采用无铅端接。 该器件主要应用于对稳定性、低损耗和高可靠性要求严苛的高频模拟电路中，典型场景包括： - 射频（RF）前端电路：如5G通信模块、Wi-Fi 6/6E、蓝牙SoC中的阻抗匹配网络、天线调谐与滤波器旁路； - 精密振荡与时钟电路：为晶体振荡器（XO）、VCO提供高稳定负载电容，保障频率精度与时序完整性； - 高速接口保护与去耦：在USB 3.x、PCIe、HDMI等高速信号链中用作高频噪声抑制和参考电压旁路； - 汽车电子系统：车载雷达（24/77 GHz）、ADAS传感器信号调理、车载信息娱乐系统（IVI）的射频收发模块； - 医疗与工业仪器：超声成像前端、高精度ADC/DAC参考电路及传感器接口，依赖其极低介质损耗（tanδ < 0.001）和零电压/温度系数特性。 凭借C0G介质优异的线性度与长期稳定性，该电容避免了X7R等类介质的容值漂移问题，适用于需长期可靠运行且不容许性能退化的关键节点。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 9PF 50V NP0 0805 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR08C909B5GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.035"（0.88mm） |
| 大小/尺寸 | 0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.1pF |
| 封装/外壳 | 0805（2012 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 4,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 50V |
| 电容 | 9.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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