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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR08C189B1GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR08C189B1GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR08C189B1GAC价格参考。KemetCBR08C189B1GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR08C189B1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR08C189B1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET品牌的CBR08C189B1GAC是一款高性能车规级多层陶瓷电容器（MLCC），属于CBR系列，符合AEC-Q200标准。其标称容量为1.8 nF（189表示1.8×10⁹ pF），容差±0.1 pF（“B”），额定电压100 V（“1G”），采用0805封装（2.0 mm × 1.25 mm），介质为C0G/NP0（温度系数±30 ppm/℃，超低损耗、高稳定性）。 该器件主要应用于对精度、稳定性和可靠性要求极高的场景： - 汽车电子：如ADAS传感器信号调理电路、车载雷达接收前端、引擎控制单元（ECU）中的高频滤波与耦合； - 工业自动化：精密仪器仪表的参考时钟旁路、高速ADC/DAC电源去耦、PLC模拟输入通道的抗干扰滤波； - 通信设备：5G基站射频模块中的本振（LO）旁路、低相噪振荡器负载电容、微波频段（可达数GHz）的阻抗匹配与谐振； - 医疗电子：便携式监护仪中ECG/EEG前端的高保真信号耦合与噪声抑制。 得益于C0G介质优异的温度/电压/时间稳定性及低介电吸收特性，该电容特别适合需长期零漂移、无容值衰减的关键模拟电路，不适用于大纹波或高直流偏压场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 1.8PF 100V NP0 0805 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR08C189B1GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.035"（0.88mm） |
| 大小/尺寸 | 0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.1pF |
| 封装/外壳 | 0805（2012 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 4,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 1.8pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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