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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR08C180G1GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR08C180G1GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR08C180G1GAC价格参考。KemetCBR08C180G1GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR08C180G1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR08C180G1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR08C180G1GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容值18 pF，额定电压100 V，精度±2%（G），封装尺寸0805（2.0 × 1.25 mm），采用C0G/NP0类温度稳定介质。其典型应用场景包括： - 高频射频电路：如5G基站前端、Wi-Fi 6/7射频模块、蓝牙/BLE收发器中的匹配网络、滤波与耦合，得益于C0G介质极低的介质损耗（tanδ < 0.001）和优异的频率稳定性（容值随频率变化小）。 - 高精度定时与振荡电路：用于晶体振荡器（XO）、TCXO的负载电容或反馈回路，确保频率长期稳定性与低相位噪声。 - 汽车电子系统：满足AEC-Q200标准，适用于ADAS雷达（24/77 GHz）前端偏置去耦、车载信息娱乐系统RF滤波、车身控制模块（BCM）中的EMI抑制等严苛环境。 - 工业与医疗设备：在高可靠性要求的精密传感器信号调理、超声成像前端、PLC高速通信接口中提供稳定旁路与去耦功能。 该器件不含铅、符合RoHS，并具备良好的抗热冲击与机械应力能力，适合回流焊工艺。不推荐用于大纹波电流或高直流偏压场景（因其小容量且非X7R/X5R类）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 18PF 100V 2% NP0 0805 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR08C180G1GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.035"（0.88mm） |
| 大小/尺寸 | 0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | 0805（2012 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 4,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 18pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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