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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR08C129A1GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR08C129A1GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR08C129A1GAC价格参考。KemetCBR08C129A1GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR08C129A1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR08C129A1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR08C129A1GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为1.2 nF（129表示1.2×10⁹ pF），额定电压100 V，容差±0.05 pF（超精密“B”级），采用C0G/NP0类温度特性（-55℃～+125℃范围内容量变化≤±30 ppm/℃），封装尺寸为0805（2.0×1.25 mm）。 其主要应用场景包括： - 高精度模拟电路：如射频前端、低噪声放大器（LNA）、混频器及ADC/DAC参考去耦，得益于C0G的极低介电吸收与介质损耗（tanδ＜0.001），可保障信号完整性； - 高频滤波与匹配网络：在2.4 GHz Wi-Fi、蓝牙、UWB等无线模块中用于阻抗匹配与谐振回路，0805尺寸兼顾Q值与布局密度； - 汽车电子系统：满足AEC-Q200要求，适用于ADAS摄像头电源滤波、车载雷达时钟旁路、信息娱乐系统音频路径耦合等严苛环境； - 工业传感器与精密仪器：在高稳定性振荡电路（如晶体负载电容）、医疗设备传感信号调理环节中提供可靠、低漂移的电容基准。 该型号不适用于大纹波电流或高直流偏压场景（因小容量且无X7R等高介电常数材料），典型应用需关注PCB布局对寄生电感的影响，建议就近放置于IC电源引脚处以发挥最佳高频去耦效果。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 1.2PF 100V NP0 0805 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR08C129A1GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.035"（0.88mm） |
| 大小/尺寸 | 0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.05pF |
| 封装/外壳 | 0805（2012 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 4,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 1.2pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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