Datasheet下载- 型号： CBR08C110J1GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR08C110J1GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR08C110J1GAC价格参考。KemetCBR08C110J1GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR08C110J1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR08C110J1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET品牌的CBR08C110J1GAC是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为11 pF，耐压100 V，容差±5%（J），采用0805封装（2.0 × 1.25 mm），介质为C0G/NP0（温度系数极稳定，±30 ppm/℃，-55℃～+125℃范围内容量变化极小）。 其典型应用场景包括： • 高频射频电路：如5G通信模块、Wi-Fi 6/6E、蓝牙SoC的匹配网络、天线调谐与滤波，得益于C0G介质的低损耗（DF < 0.1%）和高Q值； • 精密振荡与时钟电路：用于晶体振荡器（XO）、TCXO旁路与负载电容，保障频率长期稳定性； • 汽车电子系统：符合AEC-Q200标准，适用于ADAS摄像头模组、车载雷达收发前端、CAN/LIN总线接口滤波及信息娱乐系统中的高频去耦； • 医疗电子与工业传感：在超声成像前端、高精度传感器信号调理电路中提供稳定参考电容或滤波功能； • 电源管理辅助环节：为DC-DC转换器中高频控制IC（如PWM控制器）提供低ESL/ESR的局部去耦，抑制GHz级噪声。 该型号不适用于大电流或高纹波场景，但凭借优异的温度/电压/时间稳定性，特别适合对相位噪声、频率精度和长期可靠性要求严苛的高端模拟与射频应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 11PF 100V 5% NP0 0805 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR08C110J1GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.035"（0.88mm） |
| 大小/尺寸 | 0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | 0805（2012 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 4,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 11pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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