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- 型号： CBR06C829B1GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR06C829B1GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR06C829B1GAC价格参考。KemetCBR06C829B1GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR06C829B1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR06C829B1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR06C829B1GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为8.2 pF，电压额定值为100 V，容差±0.1 pF（B级），采用C0G/NP0类超稳定介质，温度系数近乎零（±30 ppm/℃），工作温度范围为–55℃～+125℃。其极低的介质损耗（tanδ < 0.001）、优异的频率稳定性及出色的抗老化、抗直流偏压特性，使其特别适用于对精度、稳定性和可靠性要求严苛的高频模拟电路。 典型应用场景包括： - 射频（RF）前端电路：如5G基站、毫米波模块、Wi-Fi 6/7射频收发器中的阻抗匹配、耦合与谐振回路； - 高精度时钟与振荡电路：如VCXO、TCXO等晶体振荡器的负载电容或相位微调网络； - 高速信号链：ADC/DAC参考电压旁路、高速运算放大器反馈网络中的补偿电容； - 汽车电子：ADAS雷达系统、车载信息娱乐（IVI）射频模块及发动机控制单元（ECU）中需AEC-Q200认证的高频滤波与去耦节点； - 测试测量设备：高频探头校准、网络分析仪内部精密调谐元件。 该器件0603封装（1.6×0.8 mm）兼顾高频性能与贴装密度，是替代传统云母或薄膜电容的理想小型化方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 8.2PF 100V NP0 0603 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR06C829B1GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.034"（0.87mm） |
| 大小/尺寸 | 0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.1pF |
| 封装/外壳 | 0603（1608 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 4,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 8.2pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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