Datasheet下载- 型号： CBR06C509B1GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR06C509B1GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR06C509B1GAC价格参考。KemetCBR06C509B1GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR06C509B1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR06C509B1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR06C509B1GAC 是一款高性能X7R介质、0603封装（1608公制）的多层陶瓷电容器（MLCC），标称容量为5.0 nF（5000 pF），额定电压为100 VDC，容差±0.1 pF（B级），具有优异的温度稳定性（X7R：±15% / -55℃～+125℃）和低ESR/ESL特性。 该器件典型应用于对可靠性、高频性能及温度稳定性要求较高的场景，包括： - 射频与微波电路：如5G基站前端模块、Wi-Fi 6/6E射频收发链路中的耦合、旁路与滤波； - 高精度模拟信号链：传感器信号调理电路、ADC/DAC参考电压旁路、精密运放电源去耦； - 工业与汽车电子：符合AEC-Q200标准（注：需确认具体批次是否通过认证，CBR系列多数型号具备车规潜力），适用于车载信息娱乐系统、ADAS电源管理中的噪声抑制； - 医疗电子设备：便携式监护仪、超声成像前端中对低失真、低漏电流敏感的信号路径； - 航天与高可靠性领域：得益于KEMET严格的宇航级筛选流程（如CBR系列可提供QPL/PRSM选项），适用于卫星通信终端、相控阵雷达T/R模块的高频去耦。 其小尺寸、高Q值与稳定电容特性，特别适合高频、低相位噪声及宽温工作的严苛环境。实际选型时建议查阅KEMET官方数据手册并验证具体应用下的电压降额（推荐≤50%额定电压）与PCB布局匹配性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 5PF 100V NP0 0603 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR06C509B1GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.034"（0.87mm） |
| 大小/尺寸 | 0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.1pF |
| 封装/外壳 | 0603（1608 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 4,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 5.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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