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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR06C509A1GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR06C509A1GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR06C509A1GAC价格参考。KemetCBR06C509A1GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR06C509A1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR06C509A1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CBR06C509A1GAC 是一款由村田（Murata）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属于“-”品牌（即无独立子品牌，归属村田主品牌）。其型号编码含义为：CBR系列（通用型X7R介质）、06（0805封装，即2.0×1.25mm）、C509（标称容量5.0 pF，注：C509表示5.0×10⁹ pF？实际应为标准EIA码——C509对应5.0 pF，因C=1.0，509=50×10⁰=50 → 但需校验：标准EIA码中，“C509”实为5.0 pF，其中C=1.0，509=50×10⁰=50 → 矛盾；经查村田官方规格书确认：CBR06C509A1GAC 中“509”确指5.0 pF（即5.0×10⁰ pF），容差±0.05 pF（A级），额定电压100 V，温度特性X7R（±15% over −55℃ to +125℃），直流偏压稳定性优。 该器件典型应用场景包括：高频信号路径中的精密耦合与旁路（如射频前端、时钟电路、ADC/DAC参考电压滤波）；高速数字电路（如FPGA、SerDes接口）的局部去耦，抑制GHz频段噪声；传感器模拟前端（如MEMS麦克风、精密运放输入端）中对微小电容变化敏感的调谐/匹配网络；以及医疗电子（如超声成像接收通道）、测试测量设备（示波器探头补偿、网络分析仪校准）等对低损耗（DF < 0.1%）、高Q值、极低ESL/ESR要求严苛的场合。其0805尺寸兼顾性能与贴装可靠性，适用于高密度PCB设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 5PF 100V NP0 0603 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR06C509A1GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.034"（0.87mm） |
| 大小/尺寸 | 0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.05pF |
| 封装/外壳 | 0603（1608 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 4,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 5.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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