图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR06C409C1GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR06C409C1GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR06C409C1GAC价格参考。KemetCBR06C409C1GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR06C409C1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR06C409C1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR06C409C1GAC 是一款高性能X7R介质、0603封装（1.6×0.8 mm）、4.0 pF ±0.25 pF容差、直流额定电压100 V的高频陶瓷电容器。其典型应用场景包括： - 射频（RF）与微波电路：凭借极低的寄生电感（ESL）和优异的高频特性（自谐振频率高），常用于5G通信模块、Wi-Fi 6/6E前端、蓝牙SoC的匹配网络、天线调谐及RF滤波。 - 高速数字接口旁路/去耦：适用于FPGA、高速ADC/DAC、SerDes收发器等芯片的局部电源去耦，尤其在GHz频段提供稳定低阻抗路径，抑制高频噪声。 - 精密定时与振荡电路：4.0 pF小容量配合高稳定性（X7R±15%容差、ΔC/C ≤ ±0.25%），可用于VCO调谐、PLL环路滤波或晶体负载电容微调（需结合具体设计验证）。 - 医疗与航空航天电子：满足AEC-Q200（车载）及部分高可靠性标准，适用于便携式超声设备、卫星通信终端等对尺寸、温度稳定性（–55°C 至 +125°C）和长期可靠性要求严苛的场景。 注：该器件不含铅、符合RoHS，但非车规级（无完整AEC-Q200认证），实际应用中建议参考KEMET官方数据手册进行热仿真与ESD防护设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 4PF 100V NP0 0603 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR06C409C1GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.034"（0.87mm） |
| 大小/尺寸 | 0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装/外壳 | 0603（1608 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 4,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 4.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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