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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR06C209A1GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR06C209A1GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR06C209A1GAC价格参考。KemetCBR06C209A1GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR06C209A1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR06C209A1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CBR06C209A1GAC 是一款由“KEMET（基美）”品牌生产的陶瓷电容器（注：型号前缀“CBR”为KEMET标准系列，非无品牌；题干中“品牌为-”应为信息缺失或笔误）。该器件属于X7R介质、0603封装（1608公制）、2.0 pF ±0.05 pF容值、直流额定电压100 V、低损耗（DF < 2.5%）、高稳定性的多层陶瓷电容器（MLCC）。 其典型应用场景包括： 1. 高频滤波与去耦：用于射频（RF）模块、无线收发器（如Wi-Fi 6/Bluetooth 5.x）的电源引脚旁路，抑制GHz级噪声； 2. 阻抗匹配网络：在天线前端、PA输出端或LNA输入端，配合电感构成π型/L型匹配电路，优化信号传输效率； 3. 精密定时与振荡电路：因容值极小（2.0 pF）、公差严（±0.05 pF，即A级），适用于晶体振荡器负载电容、VCO调谐回路等对容值精度和温漂敏感的场景； 4. 高速数字接口保护：在USB 3.0、HDMI等高速差分线上，作为ESD防护电路中的高频滤波元件，兼顾信号完整性与瞬态抑制。 需注意：该型号不适用于大电流滤波或电源主路去耦（容值过小），亦不可用于交流耦合（无极性但介质特性限制低频响应）。实际应用中须严格遵循PCB布局规范（短引线、就近放置、完整地平面），以发挥其高频性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 2PF 100V NP0 0603 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR06C209A1GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.034"（0.87mm） |
| 大小/尺寸 | 0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.05pF |
| 封装/外壳 | 0603（1608 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 4,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 2.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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