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- 型号： CBR04C809B5GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR04C809B5GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR04C809B5GAC价格参考。KemetCBR04C809B5GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR04C809B5GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR04C809B5GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR04C809B5GAC 是一款高性能车规级多层陶瓷电容器（MLCC），属于CBR系列，符合AEC-Q200标准。其标称参数为8.0 pF、±0.1 pF容差、50 V额定电压、C0G/NP0温度特性（温度系数±30 ppm/℃，稳定性极佳），封装尺寸为0402（1.0×0.5 mm）。 该器件主要应用于对精度、稳定性和可靠性要求严苛的高频模拟与射频电路中，典型场景包括： - 射频前端模块（RF Front-End）：如5G基站、毫米波通信设备中的阻抗匹配网络、谐振回路及滤波器微调； - 高精度时钟与振荡电路：为VCXO、TCXO等提供稳定负载电容，保障频率长期稳定性； - 医疗电子设备：如超声成像信号链、便携式监护仪中的低噪声信号调理电路； - 汽车电子系统：车载雷达（77 GHz）、ADAS传感器信号处理、CAN/LIN总线接口滤波等需通过AEC-Q200认证的场景； - 测试测量仪器：高频探头补偿、精密衰减器与校准电路中的基准电容。 凭借C0G介质优异的低损耗（DF < 0.1%）、无直流偏压容量衰减、低寄生电感及高Q值特性，CBR04C809B5GAC特别适合替代传统云母或薄膜电容，在小型化、高频化设计中实现更高性能与可靠性。（字数：398）
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 8PF 50V NP0 0402 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR04C809B5GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.022"（0.55mm） |
| 大小/尺寸 | 0.039" 长 x 0.020" 宽（1.00mm x 0.50mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.1pF |
| 封装/外壳 | 0402（1005 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 50V |
| 电容 | 8.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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