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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR04C129A5GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR04C129A5GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR04C129A5GAC价格参考。KemetCBR04C129A5GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR04C129A5GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR04C129A5GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CBR04C129A5GAC 是由 KEMET（基美） 生产的陶瓷电容器（品牌“-”通常为录入缺失，实际应为 KEMET；该型号符合其 CBR 系列命名规范），属于 Class I（COG/NPO）多层陶瓷电容（MLCC），容量为 1.2 nF（129 = 1.2 × 10⁹ pF），容差 ±0.05 pF（代码“A”），额定电压 50 V（“5G”对应 50 V DC），封装尺寸为 0402（1.0 × 0.5 mm）。 该器件具有极低的介质损耗（tanδ < 0.001）、优异的温度稳定性（±30 ppm/℃，-55℃～+125℃）、几乎无电压系数和老化效应，适用于对精度、稳定性和高频性能要求严苛的场景。典型应用场景包括： ✅ 射频（RF）电路中的耦合与旁路——如5G前端模块、Wi-Fi 6/7射频收发链路，用于隔离直流、传递高频信号； ✅ 高精度振荡器与滤波器——如晶体振荡器（XO）负载电容、SAW/BAW滤波器匹配网络，保障频率长期稳定； ✅ 高速数字电路电源去耦——在FPGA、ASIC或高速SerDes供电引脚附近提供低感抗高频旁路（>100 MHz），抑制噪声； ✅ 医疗与测试测量设备——如超声成像接收通道、精密ADC/DAC参考电压旁路，确保信号完整性与低相位噪声。 注意：不可用于需大容量或高纹波电流的电源主滤波场合（属Class II特性范畴）。使用时需关注PCB布局寄生参数及焊盘设计，以发挥其高频优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 1.2PF 50V NP0 0402 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR04C129A5GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.022"（0.55mm） |
| 大小/尺寸 | 0.039" 长 x 0.020" 宽（1.00mm x 0.50mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.05pF |
| 封装/外壳 | 0402（1005 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 50V |
| 电容 | 1.2pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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