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- 型号： CBR02C908B9GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C908B9GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C908B9GAC价格参考。KemetCBR02C908B9GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C908B9GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C908B9GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C908B9GAC 是一款高性能车规级多层陶瓷电容器（MLCC），属于CBR系列，符合AEC-Q200标准。其标称参数为9.0 pF、±0.1 pF（B容差）、直流额定电压50 V、工作温度范围–55°C 至 +125°C，采用C0G/NP0类超稳定介质，具有极低的介质损耗（tanδ < 0.001）、近乎零的电容温度系数（±30 ppm/°C）及优异的频率与电压稳定性。 该器件典型应用于对精度、稳定性和可靠性要求严苛的高频模拟电路中，尤其适合汽车电子与工业控制领域： - 射频前端电路：如车载雷达（77 GHz ADAS系统）、V2X通信模块中的阻抗匹配、耦合与谐振回路； - 高精度传感器信号调理：如压力、加速度传感器的滤波与去耦，确保微弱信号不失真； - 时钟与振荡电路：为晶振负载电容或PLL环路滤波提供高稳定性电容，保障系统时序精度； - 电源管理中的高频去耦：在DC-DC转换器（尤其SiC/GaN驱动电源）的栅极驱动侧，抑制高频噪声并提升瞬态响应。 其0201封装（0.6 mm × 0.3 mm）支持高密度PCB布局，配合无铅端子与RoHS/REACH合规性，满足现代汽车电子小型化、高可靠性需求。不适用于大纹波电流或需高容值场景（因其容量仅9 pF）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 0.9PF 6.3V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C908B9GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.1pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 6.3V |
| 电容 | 0.90pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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