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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR02C908A3GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C908A3GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C908A3GAC价格参考。KemetCBR02C908A3GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C908A3GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C908A3GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C908A3GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为9.0 pF，电压额定值为25 V，容差±0.05 pF（即“C”级，超精密），采用0201封装（0.6×0.3 mm），介质为C0G/NP0（温度系数±30 ppm/℃，极低老化与高稳定性）。 其主要应用场景集中于对频率稳定性、低相位噪声和高可靠性要求严苛的射频与模拟前端电路： - 高频滤波与匹配网络：用于5G射频前端模块（如PA输出匹配、LNA输入匹配）、Wi-Fi 6E/7射频收发链路中，提供精准阻抗调谐； - 时钟与振荡电路：作为晶体振荡器（XO/TCXO）负载电容或PLL环路滤波器中的关键旁路/补偿电容，保障时序精度与抖动性能； - 高速接口保护：在USB 3.2、PCIe Gen4+等高速信号线上，用作ESD防护后的高频去耦，抑制GHz频段噪声； - 汽车电子：满足AEC-Q200标准，适用于ADAS雷达（77 GHz）T/R模块偏置去耦、车载V2X通信射频前端等严苛环境。 该器件凭借C0G介质的优异温度/电压/时间稳定性，以及0201小尺寸带来的低寄生电感（<0.3 nH），特别适合毫米波及高频高密度PCB设计，是高端通信与智能驾驶系统中高精度定时与射频性能保障的关键被动元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 0.9PF 25V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C908A3GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.05pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 25V |
| 电容 | 0.90pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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