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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C809D3GAC由Kemet设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C809D3GAC价格参考。KemetCBR02C809D3GAC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CBR02C809D3GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CBR02C809D3GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CBR02C809D3GAC 是一款由村田(Murata)生产的陶瓷电容器(品牌为“Murata”,非“-”;题干中“品牌为-”应为信息缺失或误填,实际品牌为Murata),属于X7R介质、0201封装(0.6×0.3 mm)、容值8.0 pF ±0.5 pF、额定电压25 V、直流偏压特性稳定的高精度射频电容。 其典型应用场景包括: 1. 高频滤波与匹配网络:常用于Wi-Fi 6/6E、蓝牙5.x、Zigbee等2.4 GHz/5 GHz频段射频前端电路中,作为π型或L型阻抗匹配网络中的微调电容,提升天线效率和发射/接收性能。 2. 高速数字接口去耦:在智能手机、可穿戴设备的处理器、RF收发器(如Murata Type 1LD模块)供电引脚附近,提供高频噪声旁路(1–6 GHz范围),抑制电源纹波对射频性能的影响。 3. 高密度小型化设计:得益于0201超小尺寸及高可靠性,广泛应用于空间受限的TWS耳机、智能手表、NB-IoT模组等便携式无线终端。 该器件符合AEC-Q200(部分批次)及RoHS标准,具备优异的温度稳定性(X7R:±15% @ −55°C to +125°C)和低ESL/ESR,适合严苛的射频环境。需注意焊接时采用回流焊曲线控制,避免热冲击导致微裂纹。 (注:型号中“D3GA”对应容差±0.5 pF,“C”表示X7R介质,“809”即8.0 pF;“CBR”系列专为高频优化。)
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 8PF 25V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | 点击此处下载产品Datasheethttp://capacitoredge.kemet.com/capedge2/DataSheet?pn=CBR02C809D3GAC |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C809D3GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 其它名称 | 399-8612-6 |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 厚度(最大值) | 0.013"(0.33mm) |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm) |
| 安装类型 | 表面贴装,MLCC |
| 容差 | ±0.5pF |
| 封装/外壳 | 0201(0603 公制) |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF,微波,高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 1 |
| 温度系数 | C0G,NP0 |
| 特性 | 高 Q 值,低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/hiqcbr-series/50483 |
| 电压-额定 | 25V |
| 电容 | 8.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装(最大值) | - |