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- 型号： CBR02C809B8GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C809B8GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C809B8GAC价格参考。KemetCBR02C809B8GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C809B8GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C809B8GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C809B8GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为8.0 pF，电压额定值为6.3 V，容差±0.1 pF（B级），采用C0G/NP0类超稳定介质，封装尺寸为0201（0.6 mm × 0.3 mm）。其极低的介质损耗（tanδ < 0.001）、近乎零的电容温度系数（±30 ppm/°C）、优异的频率稳定性及老化特性，使其特别适用于对精度、噪声和时序要求严苛的高频模拟与射频电路。 典型应用场景包括：5G通信前端模块中的射频匹配网络与滤波器调谐；高精度振荡器（如VCXO、TCXO）中的负载电容与频率微调；高速SerDes接口（如PCIe、USB 3.x）的参考时钟旁路与相位噪声抑制；汽车ADAS雷达（77 GHz）收发链路中的耦合与谐振电容；以及精密传感器信号调理电路（如MEMS麦克风、加速度计）中的抗干扰退耦。因其通过AEC-Q200认证，亦广泛用于车载信息娱乐系统、仪表盘显示驱动及高级驾驶辅助系统的高频模拟部分。需注意其额定电压较低（6.3 V），设计中应避免直流偏置或瞬态过压，建议在≤3.3 V电源域使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 8PF 10V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C809B8GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.1pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 10V |
| 电容 | 8.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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